邓教授直接就拍板,“那就直接在学报上发吧,至于发给INTEL什么的,小陈你就自己看着办吧,我就不多管了,下面我们还要继续研发基于EEPROM的NAND结构。”
陈兵笑呵呵的答应道,“好,后续这些事情,都我来负责。”陈兵知道邓教授对这些事情不关心,干脆把后面的事情包揽了下来,也没有再深说。
陈兵说要把论文发给INTEL的虞博士,是真的,但让INTEL去帮忙在学界推荐,却未必会实现。
以陈兵的估计,INTEL在得到这篇论文之后,大概率会做的,不是向学界进行推介,而是反过来找英豪密议,尽量延后这个论文在学界的公开推广,以抢出时间,领先竞争对手,对这个NOR闪存进行商业化开发。
此时的INTEL给自己的定位,还不是一个CPU公司,而是一个存储公司,EPROM这个产品,本身就是INTEL发明的,而NOR闪存又是基于EPROM的结构,肯定能够引起INTEL的高度重视。
历史上也是如此,东芝虽然率先提出了闪存的概念,但由于东芝不重视这项新发明,反而是INTEL率先推出了NOR闪存产品。
与INTEL、东芝等厂商,还需要对闪存的商业价值进行预测不同,陈兵是明确知道闪存的巨大商业价值的。
只是以英豪现在的产业地位和技术能力,想要自己独自吐下这一块巨大的蛋糕,是完全做不到的。
不过如果拉上INTEL,有INTEL的强大支撑,英豪就极有可能对这个产品实现一定程度的垄断,从而把霓虹的几个潜在竞争对手提前挤出局,或至少掌握更多的竞争优势。
邓教授现在已经明确的提出了NOR闪存的结构,已经抄小路跑到了东芝富士雄的前面,而接下来,邓教授还会马上投入NAND结构的研发,大概率会继续领先东芝推出研究成果。
如此一来,关于闪存的基础架构的提出者,就不再会是霓虹的东芝,而是英豪。如果再联合INTEL领先完成这两个结构的商业化开发,就可以率先取得闪存的诸多知识产权和专利,为阻拦霓虹系厂商进入这个领域,建立起壁垒来。
现在已经是1983年底了,霓虹与灯塔半导体产业的战争,已经进入到了白热化的程度,灯塔半导体厂商对于霓虹的防备心已经极强,已经不会再轻易向霓虹厂商,进行技术转移了。
现在这个时点,正是全球半导体产业竞争的重要时间节点,霓虹几个半导体厂商,正在联合起来,对灯塔的半导体领域全面进攻。
尤其是DRAM存储领域,霓虹厂商更是咄咄逼人,很快就会逼使INTEL退出DRAM领域。
而霓虹这种胜利的结果,就是遭遇灯塔的降维打击。《广场协议》和《美日半导体协议》就将接踵而至。
这些降维打击,并未马上就让霓虹半导体厂商彻底投降,而是顽强抵抗了一阵,其中闪存领域,就是霓虹厂商抵抗最激烈的产品线之一。
历史上,虽然INTEL抢先发表了NOR闪存,但富士雄又很快研发出了NAND闪存与INTEL进行抗衡。
而NAND闪存与NOR闪存,其实是各有擅长,最终被分别用在了不同的应用领域,只是NAND闪存的市场应用更广,商业市场更大。
霓虹厂商能够在闪存领域抵抗灯塔的反攻,很大程度上就是因为,这些技术都是由东芝的富士雄团队率先研发出来的,并在霓虹半导体产业内进行技术扩散的,他们掌握了自主的知识产权,也就有了更强的抵抗资本。
但现在陈兵已经抢先推出了闪存,未来两年还会更进一步的抢夺更多的基础知识产权,只要与INTEL形成了垄断的技术联盟,就绝对会在闪存这个领域,对霓虹形成很大的压制作用。
在闪存领域压制霓虹,对于陈兵来说,还只是手段,并不是最终目的。在陈兵的规划之中,闪存还有着更加重大的意义和作用。
历史上,内地的半导体产业,是被西方的经济体系严重边缘化的,在中芯成立之前,内地的半导体产业,就没有真正的进入过西方主导的产业链。
直到中芯成立之后,内地的半导体产业,才从制造端真正开始切入全球半导体的产业链条。
中芯能够成立,能够获得相对比较先进的设备采购许可,也并不是灯塔政府有什么好心。
那个时候,霓虹的半导体产业已经被压制住了,反而是两个打手台积电和三星,有了坐大和重新垄断的态势。
中芯的成立能够很好的钳制这两家代工企业,灯塔才对中芯的发展采用了默许的态度。这样他才能继续坐在高处,悠闲的看着小弟们斗来斗去。
在陈兵看来,想要从制造端,凭借代工模式切入全球半导体产业链,其实是非常艰难的一条路,必须取得灯塔的许可或默认,这条路几乎是在灯塔的监控与摆弄之下,想要独立自主的发展,难度极高。
因此,陈兵一直在筹划的就是从产品端进行切入,为内地的半导体产业,找到一些拥有足够优势的产品,来作为带动内地半导体行业发展的龙头和支撑。
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